反应离子刻蚀机（ME-3A）

主要功能：对单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅等薄膜进行干法刻蚀。

主要指标：衬底尺寸：4英寸

极限真空：<0 .5pa

刻蚀均匀性：≤±5%

厂家:中科院微电子研究所