感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机（STS LPX ICP ASE-SR）

主要用途：对硅片进行干法深刻蚀

主要指标：基片尺寸：4英寸

刻蚀速率：0～2um/min

选择比：Si/SiO₂>90：1，Si/光刻胶>50:1

深宽比（刻槽）：可达到20:1

侧壁角度：90±2°

厂 家：英国STS公司