2016年1月27日，俄罗斯科学院院士Dr. Valeri Saveliev等一行访问重庆大学微纳器件与系统技术重点学科实验室，随后在主教学楼作学术报告并进行学术交流。

上午9时，Dr. Valeri Saveliev在实验室老师的陪同下，参观了实验室MEMS工艺平台。参观期间，实验室老师向客人介绍了实验室组织架构、平台建设和近年取得的科研成果。随后在主教学楼1408会议室，Dr. Valeri Saveliev作了题为“Low Photon Flux Detection with Modern Semiconductor Structures (Advanced Silicon Photonmultipliers)”的学术报告并进行学术交流。

Dr.V. Saveliev简介：Dr. V. Saveliev为俄罗斯国立原子研究大学教授、俄罗斯科学院院士和应用数学所首席科学家，发表有400多篇SCI论文，其中60多篇发表于PRL(Physical Review Letters),他引2000多次，30多次著名国际学术会议受邀报告。他的主要研究方向包括核物理、应用数学以及高性能计算系统与算法研究，但是最广为人知的是他在半导体领域的贡献。1996年，他所在的俄罗斯国立原子研究大学发明了一种新型的光电转换器件SiPM，他是三个主要发明人之一。此后，Dr. Valeri Saveliev一直致力于SiPM的开发和完善工作，专注于SiPM的结构设计、性能研究以及相关应用研究，他所带领的团队在SiPM领域始终保持着世界领先的地位。